MB85R256FPFCN-G-BNDE1 (1)
Número de pieza del fabricante
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Fabricante
Furuno (Kaga Electronics USA)
Introducción
Circuito integrado de memoria de Memoria de MEMORIA DE MEMORIA DEL NECHO (RAM ferroeléctrica) de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Memoria no volátil con acceso de lectura/escritura de alta velocidad
Bajo consumo de energía
Rango de temperatura de funcionamiento amplio (-40 ° C a 85 ° C)
Alta resistencia hasta 10^12 ciclos de escritura
Tiempo de acceso de lectura/escritura rápida de 150 ns
Interfaz de memoria paralela
Capacidad de memoria de 256 kbits organizada como 32k x 8
Ventajas de productos
Retención de datos largos sin energía
Operación rápida de lectura/escritura
Amplio rango de temperatura para diversas aplicaciones
Alta durabilidad y confiabilidad
Parámetros técnicos clave
Voltaje de funcionamiento: 2.7V a 3.6V
Tecnología de memoria: fram (RAM ferroeléctrico)
Tamaño de la memoria: 256 kbit
Organización de memoria: 32k x 8
Tiempo de acceso: 150 ns
Escribir Tiempo del ciclo: 150 ns
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete de 28-TSOP para montaje en superficie
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de dispositivos y sistemas electrónicos que requieren memoria no volátil
Áreas de aplicación
Sistemas de automatización y control industrial
Electrónica portátil
Sistemas integrados
Redes de sensores
Aplicaciones IoT
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción activa, sin planes de interrupción.Los modelos de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro.
Razones clave para elegir este producto
Memoria de marco no volátil de alta velocidad
Bajo consumo de energía
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Durabilidad y confiabilidad excepcionales
Facilidad de integración con diversos sistemas electrónicos
ROHS3 Cumplimiento para la amistad ambiental

MB85R1002PFTN-GE1Fujitsu Electronics America, Inc.











