MB85R1001ANC-GE1 (1)
Número de pieza del fabricante
MB85R1001ANC-GE1
Fabricante
Furuno (Kaga Electronics USA)
Introducción
Circuito integrado (IC) con tecnología de memoria FRAM (RAM ferroeléctrica)
Características del producto y rendimiento
Capacidad de memoria no volátil de 1 mbit
Tiempo de acceso de 150ns
150ns Tiempo de ciclo de escritura para palabra y página
Organización de memoria de 128k x 8
Interfaz de memoria paralela
Tecnología de memoria de fram
Ventajas del producto
Memoria no volátil con velocidades rápidas de lectura/escritura
Bajo consumo de energía
Alta resistencia (100 billones de ciclos de lectura/escritura)
Rango de temperatura de funcionamiento amplio (-40 ° C a 85 ° C)
Parámetros técnicos clave
Voltaje de suministro: 3V a 3.6V
Paquete: 48-TFSOP (0.488 ", ancho de 12.40 mm)
Tipo de montaje: soporte de superficie
ROHS3 Cumplante
Características de calidad y seguridad
Cumple con la Directiva ROHS3
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de dispositivos y sistemas electrónicos que requieren memoria no volátil
Áreas de aplicación
Sistemas integrados
Automatización industrial
Electrónica de consumo
Electrónica automotriz
Ciclo de vida del producto
Oferta actual de productos, sin signos de interrupción
Opciones de reemplazo o actualización disponibles del fabricante
Razones clave para elegir
Memoria de marco no volátil de alto rendimiento
Bajo consumo de energía y amplio rango de temperatura de funcionamiento
Diseño robusto y confiable con alta resistencia
Compatibilidad con varias aplicaciones electrónicas
MB85R256FFujitsu Electronics America, Inc.











