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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBUK9614-60E,118
NXP Semiconductors
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BUK9614-60E,118 - NXP Semiconductors

Fabricante Número de pieza
BUK9614-60E,118
Fabricante
NXP Semiconductors
Allelco Número de pieza
32D-BUK9614-60E,118
Modelo ECAD
Descripción de piezas
NEXPERIA BUK9614-60E - POWER FIE
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
BUK9614-60E.pdf
Existencias disponibles: 5030

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BUK9614-60E,118
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de NXP Semiconductors - BUK9614-60E,118 con especificaciones similares a NXP Semiconductors - BUK9614-60E,118

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @Id 2.1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 12.8mOhm @ 15A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 96W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2651 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20.5 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las NXP Semiconductors BUK9614-60E,118

Atributo del producto BUK9614-60E,118 BUK9614-60E,118 BUK9614-60E118 BUK9616-75B
Número de pieza BUK9614-60E,118 BUK9614-60E,118 BUK9614-60E118 BUK9616-75B
Fabricante NXP Semiconductors Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP Semiconductors
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2651 pF @ 25 V 2651 pF @ 25 V - -
La disipación de energía (máximo) 96W (Tc) 96W (Tc) - -
Característica de FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount - -
RDS (Max) @Id, Vgs 12.8mOhm @ 15A, 10V 12.8mOhm @ 15A, 10V - -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ * -
Vgs (Max) ±10V ±10V - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Paquete del dispositivo D2PAK D2PAK - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V - -
Paquete Bulk Tape & Reel (TR) Bulk -
VGS (th) (Max) @Id 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA - -
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20.5 nC @ 5 V 20.5 nC @ 5 V - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc) 56A (Tc) - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -

BUK9614-60E,118 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BUK9614-60E,118 y la documentación NXP Semiconductors para BUK9614-60E,118 - NXP Semiconductors.

Hojas de datos
BUK9614-60E.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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