Número de pieza del fabricante
NDB6030PL
Fabricante
Fairchild (Onsemi)
Introducción
MOSFET de potencia de canal P de alto rendimiento con baja resistencia a la resistencia y alta velocidad de conmutación
Características del producto y rendimiento
Baja resistencia a alta eficiencia
Velocidad de conmutación rápida para aplicaciones de alta frecuencia
Capacidad de alta corriente de hasta 30A
El rango de temperatura de funcionamiento amplio de -65 ° C a 175 ° C
Baja carga de puerta para conmutación eficiente
Ventajas de productos
Eficiencia energética mejorada
Disipación de potencia reducida
Operación confiable de alta temperatura
Paquete de montaje en superficie compacto
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 30V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 16V
En resistencia (RDS (ON)): 25MΩ @ 19a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 30a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1570pf @ 15V
Disipación de potencia (TC): 75W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para aplicaciones de alta fiabilidad
Compatibilidad
Paquete de montaje en superficie (DPAK/TO-263AB)
Compatible con varios sistemas de electrones y controles de potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Amplificadores de potencia
Electrónica industrial y automotriz
Ciclo de vida del producto
Producción actual, no se conocen planes de interrupción
Opciones de reemplazo y actualización disponibles del fabricante
Razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia y densidad de potencia
Operación confiable de alta temperatura
Cambio rápido para aplicaciones de alta frecuencia
Paquete compacto y fácil de usar de montaje en la superficie
Rendimiento comprobado en una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía
NDB6050Fairchild (onsemi)