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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaHUFA76409D3ST
Fairchild Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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HUFA76409D3ST - Fairchild Semiconductor

Fabricante Número de pieza
HUFA76409D3ST
Fabricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Número de pieza
32D-HUFA76409D3ST
Modelo ECAD
Descripción de piezas
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
HUFA76409D3ST.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas HUFA76409D3ST
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Fairchild Semiconductor - HUFA76409D3ST con especificaciones similares a Fairchild Semiconductor - HUFA76409D3ST

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-252AA  
Serie Automotive, AEC-Q101, UltraFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 63mOhm @ 18A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 49W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)  
Número de producto base HUFA76  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Affected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

HUFA76409D3ST

Fabricante

Fairchild (Onsemi)

Introducción

Transistor MOSFET MOSFET de alto rendimiento con tecnología UltraFet avanzada para aplicaciones automotrices e industriales.

Características del producto y rendimiento

AEC-Q101 calificado para aplicaciones automotrices

Rango de temperatura de funcionamiento amplio: -55 ° C a 175 ° C

Baja en resistencia: 63 MΩ @ 18a, 10V

Capacidad de alta corriente: corriente de drenaje continuo 18A @ 25 ° C

Carga de puerta baja: 15 nc @ 10V

Velocidad de conmutación rápida

Diseño robusto y confiable

Ventajas de productos

Excelente rendimiento térmico y eléctrico

Mayor densidad de potencia y eficiencia

Adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia

Confiabilidad y calidad de grado automotriz

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 60V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 16V

Capacitancia de entrada (CISS): 485 pf @ 25V

Disipación de potencia (TC): 49W

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

AEC-Q101 calificado

Diseño robusto y confiable para uso automotriz e industrial

Compatibilidad

Compatible con el paquete estándar TO-252-3 (DPAK) y aplicaciones de montaje en superficie

Áreas de aplicación

Electrónica automotriz (por ejemplo, unidades de motor, conversión de energía, iluminación)

Electrónica de potencia industrial (por ejemplo, unidades de motor, alimentadores, inversores)

Aplicaciones de control y control de uso general

Ciclo de vida del producto

Oferta actual de productos

No hay planes de interrupción o reemplazo en este momento

Razones clave para elegir este producto

Excelente rendimiento térmico y eléctrico para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia

Confiabilidad y calidad de grado automotriz para sistemas de misión crítica

Diseño compacto y eficiente para aplicaciones con restricciones espaciales

Parámetros y características técnicas integrales para cumplir con diversos requisitos de aplicación

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Fairchild Semiconductor HUFA76409D3ST

Atributo del producto HUFA76409D3ST HUFA76407P3 HUFA76409D3S HUFA76409D3S
Número de pieza HUFA76409D3ST HUFA76407P3 HUFA76409D3S HUFA76409D3S
Fabricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15 nC @ 10 V 11.3 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paquete del dispositivo TO-252AA TO-220-3 TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V 60 V 60 V
La disipación de energía (máximo) 49W (Tc) 38W (Tc) 49W (Tc) 49W (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) 13A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 63mOhm @ 18A, 10V 92mOhm @ 13A, 10V 63mOhm @ 18A, 10V 63mOhm @ 18A, 10V
Número de producto base HUFA76 - - HUFA76
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete Bulk Tube Tube Tube
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Característica de FET - - - -

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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