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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaFQPF9N90CT
Fairchild Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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OPCIóN EXPRESA
Método de pago

FQPF9N90CT - Fairchild Semiconductor

Fabricante Número de pieza
FQPF9N90CT
Fabricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Número de pieza
32D-FQPF9N90CT
Modelo ECAD
Descripción de piezas
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Embalaje
TO-220-3 Full Pack
Ficha de datos
FQPF9N90CT.pdf
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas FQPF9N90CT
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Fairchild Semiconductor - FQPF9N90CT con especificaciones similares a Fairchild Semiconductor - FQPF9N90CT

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220F-3  
Serie QFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.4Ohm @ 4A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 68W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)
Estatus de alcance
ECCN
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

FQPF9N90CT

Fabricante

Fairchild (Onsemi)

Introducción

MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento

Características del producto y rendimiento

Voltaje de desglose alto de 900V

Baja resistencia a 1.4Ω @ 4a, 10V

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C

Alta corriente de drenaje continuo de 8a a 25 ° C

Capacitancia de entrada baja de 2730pf a 25V

Disipación máxima de potencia de 68W en TC

Ventajas de productos

Excelente rendimiento de conmutación de alto voltaje

Conversión y control de potencia eficiente

Operación confiable en entornos de alta temperatura

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de energía

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 900V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V

En resistencia (RDS (ON)): 1.4Ω @ 4a, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 8a a 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS): 2730pf a 25V

Disipación de potencia (PD): 68W en TC

Características de calidad y seguridad

Diseño de paquete robusto a 220

Tecnología de MOSFET confiable

Cumplimiento de los estándares de seguridad y medio ambiente

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de conmutación

Inversores y unidades de motor

Circuitos de corrección del factor de potencia

Electrónica industrial y de consumo de alto voltaje

Ciclo de vida del producto

Actualmente disponible

No hay planes de interrupción

Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles

Razones clave para elegir este producto

Excelente rendimiento de conmutación de alto voltaje

Baja resistencia a la conversión de energía eficiente

Rango de temperatura de funcionamiento amplio para operaciones confiables

Alta capacidad de corriente de drenaje continuo

Diseño de paquete robusto y confiable para 220

Adecuado para una variedad de aplicaciones electrónicas de energía

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Fairchild Semiconductor FQPF9N90CT

Atributo del producto FQPF9N90CT FQPF9N50CF FQPF9N50C FQPF9N90CT
Número de pieza FQPF9N90CT FQPF9N50CF FQPF9N50C FQPF9N90CT
Fabricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc) 8A (Tc)
Característica de FET - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie QFET® FRFET® QFET® QFET®
Paquete del dispositivo TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V 500 V 500 V 900 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete Bulk Bulk Tube Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
RDS (Max) @Id, Vgs 1.4Ohm @ 4A, 10V 850mOhm @ 4.5A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V 1.4Ohm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo) 68W (Tc) 44W (Tc) 44W (Tc) 68W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 2730 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 58 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 17 Artículos

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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