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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaFDD6796
Fairchild Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

FDD6796 - Fairchild Semiconductor

Fabricante Número de pieza
FDD6796
Fabricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Número de pieza
32D-FDD6796
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
FDD6796.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 62650

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas FDD6796
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Fairchild Semiconductor - FDD6796 con especificaciones similares a Fairchild Semiconductor - FDD6796

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-252, (D-Pak)  
Serie PowerTrench®  
RDS (Max) @Id, Vgs 5.7mOhm @ 20A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.7W (Ta), 42W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2315 pF @ 13 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 25 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Fairchild Semiconductor FDD6796

Atributo del producto FDD6796 FDD6N20TF FDD6796A FDD6782A
Número de pieza FDD6796 FDD6N20TF FDD6796A FDD6782A
Fabricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 25 V 200 V 25 V 25 V
RDS (Max) @Id, Vgs 5.7mOhm @ 20A, 10V 800mOhm @ 2.3A, 10V 5.7mOhm @ 20A, 10V 10.5mOhm @ 14.9A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 41 nC @ 10 V 6.1 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2315 pF @ 13 V 230 pF @ 25 V 1780 pF @ 13 V 1065 pF @ 13 V
Serie PowerTrench® UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La disipación de energía (máximo) 3.7W (Ta), 42W (Tc) 40W (Tc) 3.7W (Ta), 42W (Tc) 3.7W (Ta), 31W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paquete del dispositivo TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc) 4.5A (Tc) 20A (Ta), 40A (Tc) 20A (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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