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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaFDD6612A
Fairchild Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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OPCIóN EXPRESA
Método de pago

FDD6612A - Fairchild Semiconductor

Fabricante Número de pieza
FDD6612A
Fabricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Número de pieza
32D-FDD6612A
Modelo ECAD
Descripción de piezas
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
FDD6612A.pdf
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas FDD6612A
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Fairchild Semiconductor - FDD6612A con especificaciones similares a Fairchild Semiconductor - FDD6612A

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-252, (D-Pak)  
Serie PowerTrench®  
RDS (Max) @Id, Vgs 20mOhm @ 9.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.8W (Ta), 36W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.4 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta), 30A (Tc)  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)
Estatus de alcance
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

FDD6612A

Fabricante

Fairchild (Onsemi)

Introducción

MOSFET de alimentación de N-canal de alto rendimiento con baja resistencia a la resistencia y velocidad de conmutación rápida

Características del producto y rendimiento

Extremadamente baja en resistencia (RDS (ON) = 20 Mohm)

Capacidad de manejo de alta corriente (ID = 9.5 A Continuo, 30 por pulsado)

Velocidad de conmutación rápida

Rango de temperatura de funcionamiento amplio (-55 ° C a 175 ° C)

Carga de puerta baja (QG = 9.4 NC)

Capacitancia de entrada baja (CISS = 660 pf)

Calificación de voltaje de alta puerta de puerta (± 20 V)

Ventajas de productos

Excelente eficiencia energética y gestión térmica

Rendimiento confiable y robusto

Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y alta corriente

Parámetros técnicos clave

Voltaje de fuente de drenaje (VDS): 30 V

Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 20 V

En resistencia (RDS (ON)): 20 Mohm

Corriente de drenaje continuo (ID): 9.5 A (TA), 30 A (TC)

Capacitancia de entrada (CISS): 660 pf

Disipación de potencia (PD): 2.8 W (TA), 36 W (TC)

Características de calidad y seguridad

Diseño de paquete robusto (TO-252, D-Pak)

Medidas extensas de prueba y control de calidad

Cumplimiento de los estándares y regulaciones de la industria

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía, que incluyen fuentes de alimentación, unidades de motor y convertidores de energía

Áreas de aplicación

Fuente de alimentación

Impulso del motor

Convertidores de potencia

Electrónica industrial y automotriz

Ciclo de vida del producto

Actualmente en producción activa

No hay planes conocidos para la interrupción

Opciones de reemplazo o actualización disponibles si es necesario

Razones clave para elegir este producto

Eficiencia energética excepcional y rendimiento térmico

Diseño confiable y robusto para aplicaciones exigentes

Capacidad de conmutación rápida para operación de alta frecuencia

Amplio rango de temperatura de funcionamiento para uso versátil

Paquete compacto y fácil de integrar

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Fairchild Semiconductor FDD6612A

Atributo del producto FDD6612A FDD6606 FDD6630A FDD6635
Número de pieza FDD6612A FDD6606 FDD6630A FDD6635
Fabricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
La disipación de energía (máximo) 2.8W (Ta), 36W (Tc) 71W (Tc) 28W (Ta) 3.8W (Ta), 55W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta), 30A (Tc) 75A (Ta) 21A (Ta) 15A (Ta), 59A (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Paquete del dispositivo TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 15 V 2400 pF @ 15 V 462 pF @ 15 V 1400 pF @ 20 V
RDS (Max) @Id, Vgs 20mOhm @ 9.5A, 10V 6mOhm @ 17A, 10V 35mOhm @ 7.6A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 35 V
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.4 nC @ 5 V 31 nC @ 5 V 7 nC @ 5 V 36 nC @ 10 V

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Comentarios de los clientes

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  2. Use nuestra cuenta para el envío.Consulte la tabla a continuación para obtener los cargos aproximados.
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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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