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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaMMBF170-7
MMBF170-7 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

MMBF170-7 - Diodes Incorporated

Fabricante Número de pieza
MMBF170-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Allelco Número de pieza
32D-MMBF170-7
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Descripción detallada
Embalaje
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de datos
MMBF170.pdf
Existencias disponibles: 4680

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas MMBF170-7
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Diodes Incorporated - MMBF170-7 con especificaciones similares a Diodes Incorporated - MMBF170-7

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-23-3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 300mW (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Atributo del producto Valor del atributo  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Diodes Incorporated MMBF170-7

Atributo del producto MMBF170-7 MMBF170 MMBF170LT3G MMBF1374T1
Número de pieza MMBF170-7 MMBF170 MMBF170LT3G MMBF1374T1
Fabricante Diodes Incorporated Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 40 pF @ 10 V 60 pF @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
La disipación de energía (máximo) 300mW (Ta) 300mW (Ta) 225mW (Ta) -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Serie - - - *
Característica de FET - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V -
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V 60 V -
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta) 500mA (Ta) 500mA (Ta) -
RDS (Max) @Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V -
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA -
Paquete del dispositivo SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -

MMBF170-7 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF MMBF170-7 y la documentación Diodes Incorporated para MMBF170-7 - Diodes Incorporated.

Información ambiental
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Hojas de datos
MMBF170.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

  1. Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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Modos de pago compatibles

La forma de pago puede elegirse entre los métodos que se indican a continuación: Transferencia bancaria (T/T, Transferencia bancaria), Western Union, Tarjeta de crédito, PayPal.

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