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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaDMN66D0LW-7
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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DMN66D0LW-7 - Diodes Incorporated

Fabricante Número de pieza
DMN66D0LW-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Allelco Número de pieza
32D-DMN66D0LW-7
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Embalaje
SC-70, SOT-323
Ficha de datos
DMN66D0LW-7.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas DMN66D0LW-7
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Diodes Incorporated - DMN66D0LW-7 con especificaciones similares a Diodes Incorporated - DMN66D0LW-7

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-323  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 6Ohm @ 115mA, 5V  
La disipación de energía (máximo) 200mW (Ta)  
Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 23 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Ta)  
Número de producto base DMN66  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

DMN66D0LW-7

Fabricante

Diodos incorporados

Introducción

Producto de semiconductores discretos

Transistores fets, MOSFETS single

Características del producto y rendimiento

Temperatura de funcionamiento: -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 60 V

VGS (máximo): ± 20V

Rds on (max) @ id, VGS: 6ohm @ 115mA, 5V

Drenaje continuo actual (ID) a 25 ° C: 115MA (TA)

Capacitancia de entrada (CISS) (Max) @ VDS: 23 pf @ 25 V

Disipación de potencia (MAX): 200MW (TA)

Tipo de FET: canal N

VGS (th) (max) @ id: 2v @ 250a

Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido): 5V, 10V

Ventajas de productos

ROHS3 Cumplante

Tipo de montaje de montaje en superficie

Parámetros técnicos clave

Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Compatibilidad

Embalaje del fabricante: SOT-323

Paquete / Case: SC-70, SOT-323

Paquete del dispositivo de proveedor: SOT-323

Paquete: Tape & Reel (TR)

Áreas de aplicación

Productos de semiconductores discretos

Transistores fets, MOSFETS single

Ciclo de vida del producto

Producto actual, sin indicación de interrupción

Varias razones clave para elegir este producto

ROHS3 Cumplante

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C

Drenaje alto a voltaje de fuente de 60V

Baja resistencia de 6 ohmios

Alta corriente de drenaje continuo de 115 mA

Embalaje de montaje en superficie para facilitar la integración

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Diodes Incorporated DMN66D0LW-7

Atributo del producto DMN66D0LW-7 DMN65D9L-7 DMN7022LFG-7 DMN65D8LW-7
Número de pieza DMN66D0LW-7 DMN65D9L-7 DMN7022LFG-7 DMN65D8LW-7
Fabricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Paquete del dispositivo SOT-323 SOT-23-3 PowerDI3333-8 SOT-323
La disipación de energía (máximo) 200mW (Ta) 270mW (Ta) 900mW (Ta) 300mW (Ta)
Número de producto base DMN66 DMN65 DMN7022 DMN65
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica de FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerVDFN SC-70, SOT-323
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 23 pF @ 25 V 41 pF @ 25 V 2737 pF @ 35 V 22 pF @ 25 V
RDS (Max) @Id, Vgs 6Ohm @ 115mA, 5V 4Ohm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 7.2A, 10V 3Ohm @ 115mA, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V 75 V 60 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Ta) 335mA (Ta) 7.8A (Ta) 300mA (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

DMN66D0LW-7 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF DMN66D0LW-7 y la documentación Diodes Incorporated para DMN66D0LW-7 - Diodes Incorporated.

Información ambiental
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
EOL 19-May-2022.pdf

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Comentarios de los clientes

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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