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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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DMN601K-7 - Diodes Incorporated

Fabricante Número de pieza
DMN601K-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Allelco Número de pieza
32D-DMN601K-7
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Embalaje
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de datos
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Bond Wire 3/May/2011.pdf
Green Encapsulate 15/May/2008.pdf
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
DMN601K.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas DMN601K-7
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Diodes Incorporated - DMN601K-7 con especificaciones similares a Diodes Incorporated - DMN601K-7

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-23-3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 350mW (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)  
Número de producto base DMN601  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

DMN601K-7

Fabricante

Diodos incorporados

Introducción

El DMN601K-7 es un único transistor MOSFET de canales N en un paquete SOT-23-3 de montaje en superficie.

Características del producto y rendimiento

Voltaje de drenaje a fuente de hasta 60 V

Baja resistencia de 2Ω @ 500 mA, 10V

Corriente de drenaje continuo de 300 mA a 25 ° C

Capacitancia de entrada de 50pf @ 25V

Rango de temperatura de funcionamiento de -65 ° C a 150 ° C

Disipación de potencia de hasta 350MW a 25 ° C

Ventajas de productos

Paquete de montaje en superficie compacto

Baja resistencia a la conmutación eficiente de alimentación

Adecuado para una amplia gama de voltajes y temperaturas operativas

Diseño robusto para un rendimiento confiable

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 60V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 20V

En resistencia (RDS (ON)): 2Ω @ 500 mA, 10V

Corriente de drenaje (ID): 300 mA

Capacitancia de entrada (CISS): 50pf @ 25V

Disipación de potencia (PD): 350MW

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Embalaje de cinta y carrete para facilitar el manejo y el ensamblaje automatizado

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas que requieren un solo canal de N-canal

Áreas de aplicación

Circuitos de gestión de energía

Circuitos de conmutación

Circuitos de conductor

Aplicaciones electrónicas de propósito general

Ciclo de vida del producto

Producto actual, que no está a punto de interrumpir

Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles en el futuro

Razones clave para elegir este producto

Paquete de montaje en superficie compacto

Baja resistencia a la conmutación eficiente de alimentación

Voltaje de funcionamiento amplio y rango de temperatura

Rendimiento robusto y confiable

Cumplimiento de ROHS3 para la seguridad ambiental

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Diodes Incorporated DMN601K-7

Atributo del producto DMN601K-7 DMN601TK-7 DMN6017SK3-13 DMN6017SFV-7
Número de pieza DMN601K-7 DMN601TK-7 DMN6017SK3-13 DMN6017SFV-7
Fabricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-523 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerVDFN
RDS (Max) @Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V 18mOhm @ 6A, 10V 18mOhm @ 6A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base DMN601 DMN601 DMN6017 DMN6017
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 2711 pF @ 15 V 2711 pF @ 15 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V 60 V 60 V
La disipación de energía (máximo) 350mW (Ta) 150mW (Ta) 50W (Tc) 1W (Ta)
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta) 300mA (Ta) 43A (Tc) 35A (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Paquete del dispositivo SOT-23-3 SOT-523 TO-252, (D-Pak) PowerDI3333-8 (Type UX)

DMN601K-7 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF DMN601K-7 y la documentación Diodes Incorporated para DMN601K-7 - Diodes Incorporated.

Dibujos 2d
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf Bond Wire 3/May/2011.pdf Green Encapsulate 15/May/2008.pdf Assembly REV 07/Sep/2021.pdf DMN601K.pdf

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Comentarios de los clientes

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