SPD08P06PGBTMA1 (1)
Número de pieza del fabricante
SPD08P06PGBTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Introducción
Transistor de potencia MOSFET para aplicaciones de control y control de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
MOSFET de canal P con baja resistencia
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C
Carga de puerta baja para conmutación rápida
Optimizado para la conversión de energía de alta eficiencia y alta frecuencia
Adecuado para varias aplicaciones de control y conmutación
Ventajas de productos
Excelente eficiencia energética y gestión térmica
Rendimiento confiable en entornos exigentes
Habilita diseños de circuitos de alimentación compactos y livianos
SPD08P06PGBTMA1 (2)
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDS): 60V
Voltaje máximo de puerta a fuente (VGS): ± 20V
En resistencia (RDS (ON)): 300MΩ @ 10a, 6.2V
Corriente de drenaje continuo (ID): 8.83a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 420pf @ 25V
Disipación de potencia (PTOT): 42W @ TC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseñado para una operación confiable y segura
Compatibilidad
Paquete de montaje en superficie (PG-TO252-3)
Compatible con varias aplicaciones de control y conmutación
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Inversores
Convertidores
Automatización y control industrial
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente en producción y no está cerca de la interrupción.
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en Infineon Technologies.
Razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia energética y gestión térmica
Amplio rango de temperatura de funcionamiento para un rendimiento confiable
Capacidad de conmutación rápida habilitada por carga baja de puerta
Diseño de circuito de alimentación compacto y liviano
Cumplimiento de ROHS3 para la responsabilidad ambiental
SPD08N50C3Infineon TechnologiesCOOLMOS, 7.6A, 500V, 0.6OHM, N-C
SPD1-E9CD-P1WW-LED0499BRIWAY











