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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLH6224TRPBF
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRLH6224TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLH6224TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLH6224TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
IRLH6224TRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 74430

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLH6224TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLH6224TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLH6224TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1.1V @ 50µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 3.6W (Ta), 52W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3710 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 105A (Tc)  
Número de producto base IRLH6224  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLH6224TRPBF

Atributo del producto IRLH6224TRPBF IRLHM620TRPBF IRLH7134TRPBF IRLHM630TRPBF
Número de pieza IRLH6224TRPBF IRLHM620TRPBF IRLH7134TRPBF IRLHM630TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 105A (Tc) 26A (Ta), 40A (Tc) 26A (Ta), 50A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc)
Número de producto base IRLH6224 IRLHM620 - IRLHM630
VGS (th) (Max) @Id 1.1V @ 50µA 1.1V @ 50µA 2.5V @ 100µA 1.1V @ 50µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo 8-PQFN (5x6) PQFN (3x3) PG-TDSON-8-10 PQFN (3x3)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 40 V 30 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±16V ±12V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 10V - 2.5V, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 86 nC @ 10 V 78 nC @ 4.5 V 58 nC @ 4.5 V 62 nC @ 4.5 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3710 pF @ 10 V 3620 pF @ 10 V 3720 pF @ 25 V 3170 pF @ 25 V
RDS (Max) @Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 4.5V 2.5mOhm @ 20A, 4.5V 3.3mOhm @ 50A, 10V 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 3.6W (Ta), 52W (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc)

IRLH6224TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLH6224TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRLH6224TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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