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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRL3714STRR
IRL3714STRR Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRL3714STRR - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRL3714STRR
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRL3714STRR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRL3714(S,L).pdf
Existencias disponibles: 5120

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRL3714STRR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRL3714STRR con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRL3714STRR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 47W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRL3714STRR

Atributo del producto IRL3714STRR IRL3714PBF IRL3714ZL IRL3714ZSPBF
Número de pieza IRL3714STRR IRL3714PBF IRL3714ZL IRL3714ZSPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
La disipación de energía (máximo) 47W (Tc) 47W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V 550 pF @ 10 V 550 pF @ 10 V
Paquete del dispositivo D2PAK TO-220AB TO-262 D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 20 V 20 V
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V 7.2 nC @ 4.5 V 7.2 nC @ 4.5 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc) 36A (Tc) 36A (Tc) 36A (Tc)
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Característica de FET - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V

IRL3714STRR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRL3714STRR y la documentación Infineon Technologies para IRL3714STRR - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
Part Number Guide.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Mult Dev EOL 11/Aug/2008.pdf
Hojas de datos
IRL3714(S,L).pdf

Modo de transporte

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Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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