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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRL3705NSPBF
IRL3705NSPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRL3705NSPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRL3705NSPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRL3705NSPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRL3705NSPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4900

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRL3705NSPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRL3705NSPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRL3705NSPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 10mOhm @ 46A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 170W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 98 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 89A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRL3705NSPBF

Atributo del producto IRL3705NSPBF IRL3705NS IRL3705NLPBF IRL3705Z
Número de pieza IRL3705NSPBF IRL3705NS IRL3705NLPBF IRL3705Z
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Paquete del dispositivo D2PAK D2PAK TO-262 TO-220AB
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 130W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V 55 V 55 V 55 V
Paquete Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 10mOhm @ 46A, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 8mOhm @ 52A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Característica de FET - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 98 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 89A (Tc) 89A (Tc) 89A (Tc) 75A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 2880 pF @ 25 V

IRL3705NSPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRL3705NSPBF y la documentación Infineon Technologies para IRL3705NSPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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