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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFZ44VZ
IRFZ44VZ Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFZ44VZ - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFZ44VZ
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFZ44VZ
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRFZ44VZ.pdf
Existencias disponibles: 4240

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFZ44VZ
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFZ44VZ con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFZ44VZ

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 92W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 57A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFZ44VZ

Atributo del producto IRFZ44VZ IRFZ44VS IRFZ44VPBF IRFZ44ZLPBF
Número de pieza IRFZ44VZ IRFZ44VS IRFZ44VPBF IRFZ44ZLPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
La disipación de energía (máximo) 92W (Tc) 115W (Tc) 115W (Tc) 80W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 65 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V 1812 pF @ 25 V 1812 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V
Paquete del dispositivo TO-220AB D2PAK TO-220AB TO-262
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
RDS (Max) @Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V 16.5mOhm @ 31A, 10V 16.5mOhm @ 31A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V 60 V 55 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Característica de FET - - - -
Paquete Tube Tube Tube Tube
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 57A (Tc) 55A (Tc) 55A (Tc) 51A (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

IRFZ44VZ Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFZ44VZ y la documentación Infineon Technologies para IRFZ44VZ - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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