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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFU13N20DPBF
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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IRFU13N20DPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFU13N20DPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFU13N20DPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 200V 13A IPAK
Embalaje
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ficha de datos
IRFU13N20DPBF.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Existencias disponibles: 5070

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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFU13N20DPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFU13N20DPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFU13N20DPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 235mOhm @ 8A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 110W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

IRFU13N20DPBF

Fabricante

Infineon Technologies

Introducción

El IRFU13N20DPBF es un transistor MOSFET N-Channel de alto rendimiento diseñado para su uso en una variedad de aplicaciones de electrónica y conmutación de potencia.

Características del producto y rendimiento

Alta calificación de voltaje de drenaje a fuente de 200V

Baja resistencia de 235mΩ @ 8a, 10V

Corriente de drenaje continuo de 13A a 25 ° C de temperatura del caso

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C

Capacitancia de entrada baja de 830pf @ 25V

Disipación de alta potencia de 110W a 25 ° C de temperatura del caso

Ventajas de productos

Excelente eficiencia y baja pérdida de energía

Diseño confiable y robusto

Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente

Versátil y flexible en uso

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 200V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V

En resistencia (RDS (ON)): 235MΩ @ 8a, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 13A @ 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS): 830pf @ 25V

Disipación de potencia (PD): 110W @ 25 ° C

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Fabricado en una instalación certificada de alta calidad

Compatibilidad

Adecuado para su uso en una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de conmutación

Impulso del motor

Inversores

Electrónica industrial y automotriz

Ciclo de vida del producto

El IRFU13N20DPBF es un producto compatible activamente sin planes de interrupción.

Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en Infineon u otros fabricantes.

Razones clave para elegir este producto

Excelente rendimiento y eficiencia

Diseño robusto y confiable

Amplia gama de aplicaciones

Disponibilidad de soporte técnico y recursos de Infineon

Cumplimiento de los estándares de seguridad y medio ambiente relevantes

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFU13N20DPBF

Atributo del producto IRFU13N20DPBF IRFU1N60APBF IRFU18N15D IRFU120PBF
Número de pieza IRFU13N20DPBF IRFU1N60APBF IRFU18N15D IRFU120PBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 25 V 229 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete del dispositivo IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Paquete Tube Tube Tube Tube
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 1.4A (Tc) 18A (Tc) 7.7A (Tc)
Característica de FET - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 38 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Paquete / Cubierta TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
VGS (th) (Max) @Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie HEXFET® - HEXFET® -
La disipación de energía (máximo) 110W (Tc) 36W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V 600 V 150 V 100 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
RDS (Max) @Id, Vgs 235mOhm @ 8A, 10V 7Ohm @ 840mA, 10V 125mOhm @ 11A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFU13N20DPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFU13N20DPBF y la documentación Infineon Technologies para IRFU13N20DPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
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Nueva Zelanda 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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