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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFSL7762PBF
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFSL7762PBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFSL7762PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFSL7762PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 75V 85A TO262
Descripción detallada
Embalaje
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ficha de datos
IRFSL7762PBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 37229

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFSL7762PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFSL7762PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFSL7762PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-262  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 6.7mOhm @ 51A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4440 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 75 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFSL7762PBF

Atributo del producto IRFSL7762PBF IRFSL5615PBF IRFSL9N60APBF IRFSL4615PBF
Número de pieza IRFSL7762PBF IRFSL5615PBF IRFSL9N60APBF IRFSL4615PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ - - HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paquete Tube Tube Tube Tube
RDS (Max) @Id, Vgs 6.7mOhm @ 51A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc) 144W (Tc) 170W (Tc) 144W (Tc)
Paquete / Cubierta TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc) 33A (Tc) 9.2A (Tc) 33A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 130 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 3.7V @ 100µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Paquete del dispositivo TO-262 TO-262 I2PAK TO-262
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4440 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V 1400 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 75 V 150 V 600 V 150 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 10V

IRFSL7762PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFSL7762PBF y la documentación Infineon Technologies para IRFSL7762PBF - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
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Brasil 7
Europa Alemania 5
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Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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