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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFS4010-7PPBF
IRFS4010-7PPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFS4010-7PPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFS4010-7PPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFS4010-7PPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Ficha de datos
IRFS4010-7PPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4460

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFS4010-7PPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFS4010-7PPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFS4010-7PPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 4mOhm @ 110A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 380W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9830 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 190A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFS4010-7PPBF

Atributo del producto IRFS4010-7PPBF IRFS4020TRLPBF IRFS4020PBF IRFS38N20DTRRP
Número de pieza IRFS4010-7PPBF IRFS4020TRLPBF IRFS4020PBF IRFS38N20DTRRP
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La disipación de energía (máximo) 380W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 5V @ 250µA
Paquete / Cubierta TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Característica de FET - - - -
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Paquete del dispositivo D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 230 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 190A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc) 43A (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 200 V 200 V 200 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9830 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS (Max) @Id, Vgs 4mOhm @ 110A, 10V 105mOhm @ 11A, 10V 105mOhm @ 11A, 10V 54mOhm @ 26A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFS4010-7PPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFS4010-7PPBF y la documentación Infineon Technologies para IRFS4010-7PPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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