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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFS3004PBF
IRFS3004PBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFS3004PBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFS3004PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFS3004PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRFS3004PBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5150

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFS3004PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFS3004PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFS3004PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 380W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFS3004PBF

Atributo del producto IRFS3004PBF IRFS3004TRLPBF IRFS250B IRFS3004-7PPBF
Número de pieza IRFS3004PBF IRFS3004TRLPBF IRFS250B IRFS3004-7PPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Ta) 195A (Ta) 21.3A (Tc) 240A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V 9130 pF @ 25 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
La disipación de energía (máximo) 380W (Tc) 380W (Tc) 90W (Tc) 380W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Paquete del dispositivo D2PAK D2PAK TO-3PF D2PAK (7-Lead)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 40 V 200 V 40 V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Característica de FET - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 85mOhm @ 10.65A, 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount

IRFS3004PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFS3004PBF y la documentación Infineon Technologies para IRFS3004PBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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