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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFR3707Z
IRFR3707Z Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFR3707Z - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFR3707Z
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFR3707Z
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IRFR3707Z.pdf
Existencias disponibles: 4940

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFR3707Z
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFR3707Z con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFR3707Z

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D-Pak  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 9.5mOhm @ 15A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 50W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFR3707Z

Atributo del producto IRFR3707Z IRFR3707PBF IRFR3707 IRFR3707ZTRPBF
Número de pieza IRFR3707Z IRFR3707PBF IRFR3707 IRFR3707ZTRPBF
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Característica de FET - - - -
VGS (th) (Max) @Id 2.25V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.25V @ 25µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V
Paquete del dispositivo D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 9.5mOhm @ 15A, 10V 13mOhm @ 15A, 10V 13mOhm @ 15A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V 1990 pF @ 15 V 1990 pF @ 15 V 1150 pF @ 15 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc) 61A (Tc) 61A (Tc) 56A (Tc)
La disipación de energía (máximo) 50W (Tc) 87W (Tc) 87W (Tc) 50W (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)

IRFR3707Z Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFR3707Z y la documentación Infineon Technologies para IRFR3707Z - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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