Número de pieza del fabricante
IRFR1010ZTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Introducción
El IRFR1010ZTRPBF es un MOSFET de canal N de alto rendimiento de Infineon Technologies, diseñada para una amplia gama de aplicaciones de control electrónica y control de energía.
Características del producto y rendimiento
N-canal MOSFET con tecnología HEXFET
Excelentes capacidades de manejo de potencia con una corriente de drenaje continuo de 42a a 25 ° C
Baja resistencia a 7,5mΩ a 10 V de voltaje de fuente de puerta y corriente de drenaje 42A
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C
Capacitancia de entrada baja de 2840pf a 25V de voltaje de fuente de drenaje
Disipación de alta potencia de 140W a 25 ° C de temperatura del caso
Ventajas de productos
Conversión y control de energía eficientes debido a la baja resistencia
Operación confiable en un amplio rango de temperatura
Paquete compacto y de ahorro de espacio (a 252-3, D-Pak)
Adecuado para aplicaciones de alta potencia como unidades de motor, convertidores DC-DC y alimentadores
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 55V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 20V
Voltaje de umbral (VGS (TH)): 4V a 100A Corriente de drenaje
Carga de puerta (QG): 95 nc a 10 V de voltaje de fuente de puerta
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Empaquetado en un paquete de montaje en superficie D-Pak (a 252-3)
Compatibilidad
El IRFR1010ZTRPBF es compatible con una amplia gama de circuitos y sistemas electrónicos de potencia que requieren un MOSFET de canal N de alto rendimiento.
Áreas de aplicación
Impulso del motor
Suministros de alimentación de conmutación
Convertidores DC-DC
Electrónica de energía en aplicaciones industriales, automotrices y de consumo
Ciclo de vida del producto
El IRFR1010ZTRPBF es un producto activo y no está cerca de la interrupción.Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en Infineon Technologies u otros fabricantes.
Razones clave para elegir este producto
Excelente manejo de energía y eficiencia debido a la baja resistencia
Amplio rango de temperatura de funcionamiento para un rendimiento confiable en entornos exigentes
Paquete compacto y de ahorro de espacio para flexibilidad de diseño
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta potencia
Respaldado por la calidad y la fiabilidad de las tecnologías de Infineon
IRFR1010ZTRLPBFInfineon
IRFR1018EIR/VISHAY
IRFR110 MOSFairchild (onsemi)