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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFB4620PBF
IRFB4620PBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFB4620PBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFB4620PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFB4620PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRFB4620PBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 29719

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFB4620PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFB4620PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFB4620PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 72.5mOhm @ 15A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 144W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)  
Número de producto base IRFB4620  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFB4620PBF

Atributo del producto IRFB4620PBF IRFB4510PBF IRFB4610PBF IRFB4510GPBF
Número de pieza IRFB4620PBF IRFB4510PBF IRFB4610PBF IRFB4510GPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La disipación de energía (máximo) 144W (Tc) 140W (Tc) 190W (Tc) 140W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc) 62A (Tc) 73A (Tc) 62A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V 3180 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V 3180 pF @ 50 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Característica de FET - - - -
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V 100 V 100 V 100 V
RDS (Max) @Id, Vgs 72.5mOhm @ 15A, 10V 13.5mOhm @ 37A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V 13.5mOhm @ 37A, 10V
Paquete del dispositivo TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 38 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V
Número de producto base IRFB4620 IRFB4510 IRFB4610 -

IRFB4620PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFB4620PBF y la documentación Infineon Technologies para IRFB4620PBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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