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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF9540NSTRR
IRF9540NSTRR Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF9540NSTRR - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF9540NSTRR
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF9540NSTRR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRF9540NSTRR.pdf
Existencias disponibles: 4460

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF9540NSTRR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF9540NSTRR con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF9540NSTRR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 117mOhm @ 11A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 140W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 97 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF9540NSTRR

Atributo del producto IRF9540NSTRR IRF9540PBF IRF9540NSPBF IRF9541
Número de pieza IRF9540NSTRR IRF9540PBF IRF9540NSPBF IRF9541
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Harris Corporation
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo D2PAK TO-220AB D2PAK TO-220-3
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 97 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 100 V 100 V 80 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) 19A (Tc) 23A (Tc) 19A (Tc)
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 150W (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) 150W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
RDS (Max) @Id, Vgs 117mOhm @ 11A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V 117mOhm @ 14A, 10V 200mOhm @ 10A, 10V
Característica de FET - - - -
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

IRF9540NSTRR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF9540NSTRR y la documentación Infineon Technologies para IRF9540NSTRR - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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