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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF9540NSTRLPBF
IRF9540NSTRLPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF9540NSTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF9540NSTRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF9540NSTRLPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRF9540NSTRLPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 25566

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF9540NSTRLPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF9540NSTRLPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF9540NSTRLPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 117mOhm @ 14A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.1W (Ta), 110W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)  
Número de producto base IRF9540  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF9540NSTRLPBF

Atributo del producto IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRRPBF IRF9540PBF IRF9540NLPBF
Número de pieza IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRRPBF IRF9540PBF IRF9540NLPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 100 V 100 V 100 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) 23A (Tc) 19A (Tc) 23A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paquete del dispositivo D2PAK D2PAK TO-220AB TO-262
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número de producto base IRF9540 IRF9540 IRF9540 IRF9540
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La disipación de energía (máximo) 3.1W (Ta), 110W (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) 150W (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 117mOhm @ 14A, 10V 117mOhm @ 14A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V 117mOhm @ 14A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IRF9540NSTRLPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF9540NSTRLPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF9540NSTRLPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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