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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF8707TRPBF
IRF8707TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF8707TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF8707TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF8707TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
IRF8707TRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 173450

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF8707TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF8707TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF8707TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)  
Número de producto base IRF8707  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF8707TRPBF

Atributo del producto IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF-1 IRF8714TRPBF IRF8707PBF
Número de pieza IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF-1 IRF8714TRPBF IRF8707PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 15 V 760 pF @ 15 V 1020 pF @ 15 V 760 pF @ 15 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta) 11A (Ta) 14A (Ta) 11A (Ta)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base IRF8707 - IRF8714 -
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V 9.3 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 9.3 nC @ 4.5 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SOIC 8-SO 8-SO
Característica de FET - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V 11.9mOhm @ 11A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 11.9mOhm @ 11A, 10V

IRF8707TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF8707TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF8707TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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