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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF8010SPBF
IRF8010SPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF8010SPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF8010SPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF8010SPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRF8010SPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4850

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF8010SPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF8010SPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF8010SPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 260W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF8010SPBF

Atributo del producto IRF8010SPBF IRF7946TRPBF IRF8010PBF IRF8010STRLPBF
Número de pieza IRF8010SPBF IRF7946TRPBF IRF8010PBF IRF8010STRLPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo D2PAK DIRECTFET™ MX TO-220AB D2PAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 90A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 3.9V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 40 V 100 V 100 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 120 nC @ 10 V 212 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V 1.4mOhm @ 90A, 10V 15mOhm @ 45A, 10V 15mOhm @ 45A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V 6852 pF @ 25 V 3830 pF @ 25 V 3830 pF @ 25 V
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB DirectFET™ Isometric MX TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Característica de FET - - - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
La disipación de energía (máximo) 260W (Tc) 96W (Tc) 260W (Tc) 260W (Tc)

IRF8010SPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF8010SPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF8010SPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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