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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF7404PBF
IRF7404PBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF7404PBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF7404PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF7404PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
IRF7404PBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4050

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF7404PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF7404PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF7404PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 40mOhm @ 3.2A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.7A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF7404PBF

Atributo del producto IRF7404PBF IRF7403PBF IRF7403TRPBF IRF7404TRPBF
Número de pieza IRF7404PBF IRF7403PBF IRF7403TRPBF IRF7404TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1500 pF @ 15 V
Paquete Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs 40mOhm @ 3.2A, 4.5V 22mOhm @ 4A, 10V 22mOhm @ 4A, 10V 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.7A (Ta) 8.5A (Ta) 8.5A (Ta) 6.7A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 57 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 50 nC @ 4.5 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 30 V 30 V 20 V
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Característica de FET - - - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7404PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF7404PBF y la documentación Infineon Technologies para IRF7404PBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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