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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF6613TRPBF
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF6613TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF6613TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF6613TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Descripción detallada
Embalaje
DirectFET™ Isometric MT
Ficha de datos
IRF6613TRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 26123

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF6613TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF6613TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF6613TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo DIRECTFET™ MT  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 3.4mOhm @ 23A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Paquete / Cubierta DirectFET™ Isometric MT  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5950 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 63 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 150A (Tc)  
Número de producto base IRF6613  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF6613TRPBF

Atributo del producto IRF6613TRPBF IRF6612TRPBF IRF6616TRPBF IRF6614TR1
Número de pieza IRF6613TRPBF IRF6612TRPBF IRF6616TRPBF IRF6614TR1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric ST
RDS (Max) @Id, Vgs 3.4mOhm @ 23A, 10V 3.3mOhm @ 24A, 10V 5mOhm @ 19A, 10V 8.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ ST
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5950 pF @ 15 V 3970 pF @ 15 V 3765 pF @ 20 V 2560 pF @ 20 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 150A (Tc) 24A (Ta), 136A (Tc) 19A (Ta), 106A (Tc) 12.7A (Ta), 55A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 63 nC @ 4.5 V 45 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V
La disipación de energía (máximo) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 30 V 40 V 40 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Número de producto base IRF6613 - - -

IRF6613TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF6613TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF6613TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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