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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF60R217
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF60R217 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF60R217
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF60R217
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IRF60R217.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 51170

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF60R217
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF60R217 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF60R217

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.7V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D-PAK (TO-252AA)  
Serie StrongIRFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 9.9mOhm @ 35A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 83W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2170 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)  
Número de producto base IRF60R217  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF60R217

Atributo del producto IRF60R217 IRF610LPBF IRF60DM206 IRF610
Número de pieza IRF60R217 IRF610LPBF IRF60DM206 IRF610
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Harris Corporation
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc) 3.3A (Tc) 130A (Tc) 3.3A (Tc)
La disipación de energía (máximo) 83W (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) 96W (Tc) 36W (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 200 V 60 V 200 V
Número de producto base IRF60R217 IRF610 IRF60DM206 IRF610
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2170 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 6530 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @Id 3.7V @ 50µA 4V @ 250µA 3.7V @ 150µA 4V @ 250µA
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
RDS (Max) @Id, Vgs 9.9mOhm @ 35A, 10V 1.5Ohm @ 2A, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 1.5Ohm @ 2A, 10V
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Característica de FET - - - -
Serie StrongIRFET™ - StrongIRFET™ -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA DirectFET™ Isometric ME TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete del dispositivo D-PAK (TO-252AA) I2PAK DirectFET™ Isometric ME TO-220AB
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 66 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 10V

IRF60R217 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF60R217 y la documentación Infineon Technologies para IRF60R217 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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