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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF3415STRLPBF
IRF3415STRLPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF3415STRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF3415STRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF3415STRLPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRF3415STRLPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 20770

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF3415STRLPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF3415STRLPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF3415STRLPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 42mOhm @ 22A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Tc)  
Número de producto base IRF3415  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF3415STRLPBF

Atributo del producto IRF3415STRLPBF IRF3415S IRF3415PBF IRF3415SPBF
Número de pieza IRF3415STRLPBF IRF3415S IRF3415PBF IRF3415SPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V 150 V 150 V 150 V
Número de producto base IRF3415 - IRF3415 -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Característica de FET - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paquete del dispositivo D2PAK D2PAK TO-220AB D2PAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Tc) 43A (Tc) 43A (Tc) 43A (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 42mOhm @ 22A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V

IRF3415STRLPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF3415STRLPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF3415STRLPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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