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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF3305
IRF3305 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF3305 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF3305
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF3305
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRF3305.pdf
Existencias disponibles: 5410

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF3305
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF3305 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF3305

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 330W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3650 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF3305

Atributo del producto IRF3305 IRF3315 IRF3205ZSTRRPBF IRF3315PBF
Número de pieza IRF3305 IRF3315 IRF3205ZSTRRPBF IRF3315PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V 70mOhm @ 12A, 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 70mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo) 330W (Tc) 136W (Tc) 170W (Tc) 94W (Tc)
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Paquete del dispositivo TO-220AB TO-220AB D2PAK TO-220AB
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3650 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 27A (Tc) 75A (Tc) 23A (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V 150 V 55 V 150 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 150 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Paquete Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole

IRF3305 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF3305 y la documentación Infineon Technologies para IRF3305 - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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