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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF2903ZPBF
IRF2903ZPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF2903ZPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF2903ZPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF2903ZPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRF2903ZPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 19964

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF2903ZPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF2903ZPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF2903ZPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 290W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Número de producto base IRF2903  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF2903ZPBF

Atributo del producto IRF2903ZPBF IRF2807ZPBF IRF2807ZS IRF2807ZSTRRPBF
Número de pieza IRF2903ZPBF IRF2807ZPBF IRF2807ZS IRF2807ZSTRRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Número de producto base IRF2903 IRF2807 - -
Paquete del dispositivo TO-220AB TO-220AB D2PAK D2PAK
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 75 V 75 V 75 V
Paquete Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 290W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc)

IRF2903ZPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF2903ZPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF2903ZPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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