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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF1010Z
IRF1010Z Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF1010Z - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF1010Z
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF1010Z
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRF1010Z(S,L).pdf
Existencias disponibles: 4050

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF1010Z
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF1010Z con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF1010Z

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF1010Z

Atributo del producto IRF1010Z IRF1010NSTRRPBF IRF1010ZSPBF IRF1010ZSTRLPBF
Número de pieza IRF1010Z IRF1010NSTRRPBF IRF1010ZSPBF IRF1010ZSTRLPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V 55 V 55 V 55 V
RDS (Max) @Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V 11mOhm @ 43A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc) 180W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 85A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 3210 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 95 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Característica de FET - - - -
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

IRF1010Z Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF1010Z y la documentación Infineon Technologies para IRF1010Z - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdf
Hojas de datos
IRF1010Z(S,L).pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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