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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPW60R070C6FKSA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPW60R070C6FKSA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPW60R070C6FKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPW60R070C6FKSA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IPW60R070C6FKSA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4538

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPW60R070C6FKSA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPW60R070C6FKSA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPW60R070C6FKSA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 1.72mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO247-3-1  
Serie CoolMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 70mOhm @ 25.8A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 391W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 53A (Tc)  
Número de producto base IPW60R070  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPW60R070C6FKSA1

Atributo del producto IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070P6 IPW60R060C7 IPW60R060P7XKSA1
Número de pieza IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070P6 IPW60R060C7 IPW60R060P7XKSA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Número de producto base IPW60R070 - - IPW60R060
Paquete Tube Bulk Bulk Tube
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 600 V 600 V 600 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 100 V 4750 pF @ 100 V 2850 pF @ 400 V 2895 pF @ 400 V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P7
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 53A (Tc) 53.5A (Tc) 35A (Tc) 48A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Característica de FET - - - -
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 1.72mA 4.5V @ 1.72mA 4V @ 800µA 4V @ 800µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 170 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
La disipación de energía (máximo) 391W (Tc) 391W (Tc) 162W (Tc) 164W (Tc)
Paquete del dispositivo PG-TO247-3-1 PG-TO247-3 PG-TO247-3 PG-TO247-3
RDS (Max) @Id, Vgs 70mOhm @ 25.8A, 10V 70mOhm @ 20.6A, 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V

IPW60R070C6FKSA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPW60R070C6FKSA1 y la documentación Infineon Technologies para IPW60R070C6FKSA1 - Infineon Technologies.

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Mult Dev A/T Chgs 3/Nov/2022.pdf

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Europa Alemania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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