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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPD90R1K2C3ATMA1
IPD90R1K2C3ATMA1 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPD90R1K2C3ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPD90R1K2C3ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPD90R1K2C3ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IPD90R1K2C3.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 58910

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPD90R1K2C3ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPD90R1K2C3ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPD90R1K2C3ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 310µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO252-3  
Serie CoolMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 83W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Tc)  
Número de producto base IPD90  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPD90R1K2C3ATMA1

Atributo del producto IPD90R1K2C3ATMA1 IPD90P04P4L04ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 IPD90P04P4L04ATMA2
Número de pieza IPD90R1K2C3ATMA1 IPD90P04P4L04ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 IPD90P04P4L04ATMA2
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Infineon
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V 40 V - -
Paquete del dispositivo PG-TO252-3 PG-TO252-3-313 - -
Serie CoolMOS™ OptiMOS™ - -
Número de producto base IPD90 IPD90 - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Tc) 90A (Tc) - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 28 nC @ 10 V 176 nC @ 10 V - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Tipo FET N-Channel P-Channel - -
La disipación de energía (máximo) 83W (Tc) 125W (Tc) - -
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 310µA 2.2V @ 250µA - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 100 V 11570 pF @ 25 V - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
RDS (Max) @Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 4.3mOhm @ 90A, 10V - -
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±16V - -

IPD90R1K2C3ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPD90R1K2C3ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPD90R1K2C3ATMA1 - Infineon Technologies.

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Hojas de datos
IPD90R1K2C3.pdf

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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