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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPD50R950CEAUMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPD50R950CEAUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPD50R950CEAUMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
CONSUMER
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IPD50R950CEAUMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 95440

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPD50R950CEAUMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPD50R950CEAUMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPD50R950CEAUMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-344  
Serie CoolMOS™ CE  
RDS (Max) @Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V  
La disipación de energía (máximo) 53W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc)  
Número de producto base IPD50R950  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPD50R950CEAUMA1

Atributo del producto IPD50R950CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 IPD50R520CP IPD50R520CPATMA1
Número de pieza IPD50R950CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 IPD50R520CP IPD50R520CPATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 53W (Tc) 57W (Tc) 66W (Tc) 66W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc) 7.6A (Tc) 7.1A (Tc) 7.1A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V
Número de producto base IPD50R950 IPD50R500 IPD50R IPD50R520
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE CoolMOS™ CP CoolMOS™ CP
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 13V 13V 10V 10V
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-344 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-313
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V 500 V 500 V 500 V
RDS (Max) @Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V 500mOhm @ 2.3A, 13V 520mOhm @ 3.8A, 10V 520mOhm @ 3.8A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 100µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA

IPD50R950CEAUMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPD50R950CEAUMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPD50R950CEAUMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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