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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPC100N04S5L1R1ATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPC100N04S5L1R1ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPC100N04S5L1R1ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPC100N04S5L1R1ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
IPC100N04S5L1R1ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 24448

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPC100N04S5L1R1ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPC100N04S5L1R1ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPC100N04S5L1R1ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 90µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-34  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.1mOhm @ 50A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8250 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Número de producto base IPC100  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPC100N04S5L1R1ATMA1

Atributo del producto IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1
Número de pieza IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc) 100W (Tc) 115W (Tc) 150W (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Número de producto base IPC100 IPC100 IPC100 IPC100
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8250 pF @ 25 V 3770 pF @ 25 V 4810 pF @ 25 V 7650 pF @ 25 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 7V, 10V 7V, 10V 7V, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 140 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 90µA 3.4V @ 50µA 3.4V @ 60µA 3.4V @ 90µA
RDS (Max) @Id, Vgs 1.1mOhm @ 50A, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 1.7mOhm @ 50A, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 40 V 40 V 40 V
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IPC100N04S5L1R1ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPC100N04S5L1R1ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPC100N04S5L1R1ATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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