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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPA60R190P6XKSA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPA60R190P6XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPA60R190P6XKSA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3 Full Pack
Ficha de datos
IPA60R190P6XKSA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 29773

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPA60R190P6XKSA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPA60R190P6XKSA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPA60R190P6XKSA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 630µ  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO220-FP  
Serie CoolMOS™ P6  
RDS (Max) @Id, Vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 34W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20.2A (Tc)  
Número de producto base IPA60R  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPA60R190P6XKSA1

Atributo del producto IPA60R190P6XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 IPA60R190C6 IPA60R230P6
Número de pieza IPA60R190P6XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 IPA60R190C6 IPA60R230P6
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ P6 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS™
Número de producto base IPA60R IPA60R - -
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 630µ 4V @ 280µA 3.5V @ 630µA 4.5V @ 530µA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 650 V 600 V 600 V
Paquete Tube Tube Bulk Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Característica de FET - - - -
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 100 V 1081 pF @ 400 V 1400 pF @ 100 V 1450 pF @ 100 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 37 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20.2A (Tc) 18A (Tc) 20.2A (Tc) 16.8A (Tc)
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
La disipación de energía (máximo) 34W (Tc) 26W (Tc) 34W (Tc) 33W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete del dispositivo PG-TO220-FP PG-TO220 Full Pack PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-111
RDS (Max) @Id, Vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V 180mOhm @ 5.6A, 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V 230mOhm @ 6.4A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IPA60R190P6XKSA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPA60R190P6XKSA1 y la documentación Infineon Technologies para IPA60R190P6XKSA1 - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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