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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSZ084N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSZ084N08NS5ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSZ084N08NS5ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
BSZ084N08NS5ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 64840

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSZ084N08NS5ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSZ084N08NS5ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSZ084N08NS5ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.8V @ 31µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8-FL  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 8.4mOhm @ 20A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 63W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 40 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 80 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Número de producto base BSZ084  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSZ084N08NS5ATMA1

Atributo del producto BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ088N03MSG BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1
Número de pieza BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ088N03MSG BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @Id 3.8V @ 31µA 2V @ 250µA 2.3V @ 36µA 3.1V @ 105µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 40 V 2100 pF @ 15 V 2340 pF @ 40 V 4785 pF @ 15 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La disipación de energía (máximo) 63W (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) 69W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8
Característica de FET - - Standard -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™3M OptiMOS™ 5 OptiMOS™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 80 V 30 V 80 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 8.4mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 8.6mOhm @ 20A, 10V
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Número de producto base BSZ084 - BSZ070 BSZ086
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 11A (Ta), 50A (Tc) 40A (Tc) 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 5 nC @ 4.5 V 57.5 nC @ 10 V

BSZ084N08NS5ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSZ084N08NS5ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSZ084N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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