BSZ068N06NSATMA1 (1)
Número de pieza del fabricante
BSZ068N06NSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Introducción
Transistor MOSFET MOSFET de alto rendimiento en el paquete POWERTDFN
Características del producto y rendimiento
Resistencia optimizada y carga de puerta para alta eficiencia
Excelente rendimiento térmico y eléctrico
Carga de puerta baja para conmutación rápida
El paquete POWERTDFN permite una alta densidad de potencia
Ventajas de productos
Conversión de potencia eficiente
Conmutación rápida
Factor de forma pequeña
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje de 60 V
8mΩ máxima de resistencia
40A Corriente de drenaje continuo
Capacitancia de entrada máxima de 1500pf
-55 ° C a 150 ° C Rango de temperatura de funcionamiento
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
AEC-Q101 calificado
Compatibilidad
Adecuado para una variedad de aplicaciones de conversión de energía
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Aplicaciones de iluminación
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción activa
Opciones de reemplazo o actualización disponibles
Razones clave para elegir
Rendimiento optimizado para la conversión de energía de alta eficiencia
Paquete compacto de powertdfn para diseños con restricciones espaciales
Operación confiable en un amplio rango de temperatura
Cumplimiento de los estándares de calidad automotriz e industrial

BSZ067N06LS3INFINEO











