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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSC252N10NSFGATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSC252N10NSFGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSC252N10NSFGATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
BSC252N10NSFGATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 49830

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSC252N10NSFGATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSC252N10NSFGATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSC252N10NSFGATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 43µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 25.2mOhm @ 20A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 78W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta), 40A (Tc)  
Número de producto base BSC252  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1

Atributo del producto BSC252N10NSFGATMA1 BSC240N12NS3G BSC320N20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3GATMA1
Número de pieza BSC252N10NSFGATMA1 BSC240N12NS3G BSC320N20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3GATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon
La disipación de energía (máximo) 78W (Tc) 66W (Tc) 125W (Tc) -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
RDS (Max) @Id, Vgs 25.2mOhm @ 20A, 10V 24mOhm @ 31A, 10V 32mOhm @ 36A, 10V -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 43µA 4V @ 35µA 4V @ 90µA -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 50 V 1900 pF @ 60 V 2350 pF @ 100 V -
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta), 40A (Tc) 37A (Tc) 36A (Tc) -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN -
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 17 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 120 V 200 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Número de producto base BSC252 - BSC320 -
Característica de FET - - - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -

BSC252N10NSFGATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSC252N10NSFGATMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSC252N10NSFGATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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