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Asia/Pacífico: Japan~~(日本語)~~ Korea~~(한국의)~~ Thailand~~(ภาษาไทย)~~ Malaysia~~(Melayu)~~ Singapore~~(Melayu)~~ Vietnam~~(Tiếng Việt)~~ Philippines~~(Pilipino)~~

África, India y Medio Oriente: United Arab Emirates~~(العربية)~~ Iran~~(فارسی)~~ Tajikistan~~(فارسی)~~ India~~(हिंदी)~~ Madagascar~~(malaɡasʲ)~~

América del Sur / Oceanía: New Zealand~~(Maori)~~ Brazil~~(Português)~~ Angola~~(Português)~~ Mozambique~~(Português)~~

América del norte: United States~~(English)~~ Canada~~(English)~~ Haiti~~(Ayiti)~~ Mexico~~(español)~~

Casa Productos Productos semiconductores discretos Transistores-FETs, MOSFETs-escoja~~NVMFS5C442NWFAFT1G~~

Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

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NVMFS5C442NWFAFT1G - onsemi

Name: onsemi NVMFS5C442NWFAFT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5C442NWFAFT1G
Availability: InStock
Rating: 5 (7 reviews)

Fabricante Número de pieza: NVMFS5C442NWFAFT1G

Fabricante: onsemi

Allelco Número de pieza: 32D-NVMFS5C442NWFAFT1G

Modelo ECAD

Descripción de piezas: MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN

Embalaje: 8-PowerTDFN, 5 Leads

Ficha de datos: onsemi REACH.pdf
onsemi RoHS.pdf
Mult Dev Wafer Fab Chg 8/Jan/2021.pdf
NVMFS5C442N.pdf

Estado RoHS: ROHS3 Cumplante

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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas NVMFS5C442NWFAFT1G
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de onsemi - NVMFS5C442NWFAFT1G con especificaciones similares a onsemi - NVMFS5C442NWFAFT1G

Atributo del producto	Valor del atributo
Fabricante	onsemi
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs	2.3mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.7W (Ta), 83W (Tc)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN, 5 Leads
Paquete	Tape & Reel (TR)

Atributo del producto	Valor del atributo
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Ta), 140A (Tc)
Número de producto base	NVMFS5

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO	DESCRIPCIóN
Estado RoHS	ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estatus de alcance	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

NVMFS5C442NWFAFT1G

Fabricante

onde

Introducción

MOSFET de alta potencia N-canal en un paquete compacto de 8 POWERTDFN

Diseñado para aplicaciones automotrices e industriales

Características del producto y rendimiento

AEC-Q101 calificado para uso automotriz

Extremadamente baja resistencia de 2.3 MΩ

Capacidad de corriente de drenaje alto de hasta 140a

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C

Carga de puerta baja de 32 nc a 10V

Ventajas de productos

Gestión de energía compacta y eficiente

Excelente rendimiento térmico

Diseño robuste para entornos duros

Operación confiable en sistemas automotrices e industriales

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 40V

Voltaje de fuente de puerta (VGS) (máximo): ± 20V

En resistencia (RDS (ON)) (máximo): 2.3 mΩ @ 50a, 10V

Corriente de drenaje continuo (id) (máx): 29a (TA), 140a (TC)

Capacitancia de entrada (CISS) (máximo): 2100 pf @ 25V

Disipación de potencia (máximo): 3.7W (TA), 83W (TC)

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

AEC-Q101 calificado para aplicaciones automotrices

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones automotrices e industriales

Áreas de aplicación

Administración de energía en sistemas automotrices

Control del motor

Conversión de energía industrial

Aplicaciones generales de conmutación de encendido

Ciclo de vida del producto

Este producto se encuentra actualmente en producción activa y no está cerca de la interrupción.

Los productos de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro a medida que la tecnología evoluciona.

Razones clave para elegir este producto

Excelente rendimiento en términos de baja resistencia, alta capacidad de corriente y amplio rango de temperatura

Diseño de paquetes compacto y eficiente para aplicaciones con restricciones espaciales

Diseño robusto y confiable para su uso en entornos automotrices e industriales duros

La calificación AEC-Q101 garantiza estándares de alta calidad y seguridad para aplicaciones automotrices

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las onsemi NVMFS5C442NWFAFT1G

Atributo del producto
Número de pieza	NVMFS5C442NWFAFT1G	NVMFS5C450NWFT1G	NVMFS5C450NLT1G	NVMFS5C442NLWFAFT1G
Fabricante	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Paquete del dispositivo	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	3.5V @ 65µA	2V @ 250µA	2V @ 250µA
Paquete	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 25 V	1600 pF @ 25 V	2100 pF @ 20 V	3100 pF @ 25 V
RDS (Max) @Id, Vgs	2.3mOhm @ 50A, 10V	3.3mOhm @ 50A, 10V	2.8mOhm @ 40A, 10V	2.5mOhm @ 50A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Ta), 140A (Tc)	102A (Tc)	110A (Tc)	29A (Ta), 130A (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40 V	40 V	40 V	40 V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	32 nC @ 10 V	23 nC @ 10 V	35 nC @ 10 V	50 nC @ 10 V
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN, 5 Leads	8-PowerTDFN, 5 Leads	8-PowerTDFN, 5 Leads	8-PowerTDFN, 5 Leads
Número de producto base	NVMFS5	NVMFS5	NVMFS5	NVMFS5
Tipo de montaje	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
La disipación de energía (máximo)	3.7W (Ta), 83W (Tc)	3.6W (Ta), 68W (Tc)	3.7W (Ta), 68W (Tc)	3.7W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Característica de FET	-	-	-	-

NVMFS5C442NWFAFT1G Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF NVMFS5C442NWFAFT1G y la documentación onsemi para NVMFS5C442NWFAFT1G - onsemi.

Dibujos 2d: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf Mult Dev Wafer Fab Chg 8/Jan/2021.pdf NVMFS5C442N.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 17 Artículos

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Coste de envío

Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región	País	Hora logística (día)
America	Estados Unidos	5
America	Brasil	7
Europa	Alemania	5
	Reino Unido	4
	Italia	5
Oceanía	Australia	6
Oceanía	Nueva Zelanda	5
Asia	India	4
Asia	Japón	4
Oriente Medio	Israel	6

Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg)	Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

Nota:: La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta.

Modos de pago compatibles

La forma de pago puede elegirse entre los métodos que se indican a continuación: Transferencia bancaria (T/T, Transferencia bancaria), Western Union, Tarjeta de crédito, PayPal.

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