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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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NTD6600NT4G - onsemi

Fabricante Número de pieza
NTD6600NT4G
Fabricante
onsemi
Allelco Número de pieza
32D-NTD6600NT4G
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
NTD6600N.pdf
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas NTD6600NT4G
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de onsemi - NTD6600NT4G con especificaciones similares a onsemi - NTD6600NT4G

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante onsemi  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo DPAK  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 146mOhm @ 6A, 5V  
La disipación de energía (máximo) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)  
Número de producto base NTD66  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

NTD6600NT4G

Fabricante

onde

Introducción

Transistor MOSFET de canal de alto rendimiento

Características del producto y rendimiento

Opera a altas temperaturas de hasta 175 ° C

Baja resistencia de 146 MΩ a 6a, 5V

Alta calificación de corriente de la corriente de drenaje continuo 12A a 25 ° C

Velocidad de conmutación rápida con una carga de puerta baja de 20 NC a 5V

Amplio rango de voltaje de funcionamiento de hasta 100 V-fuente de drenaje

Ventajas de productos

Excelente gestión térmica con alta disipación de 56.6w

Diseño robusto y confiable para aplicaciones exigentes

Embalaje de montaje en superficie versátil para una fácil integración

Parámetros técnicos clave

Transistor MOSFET de canal N

Voltaje de fuente de drenaje de 100 V

± 20V de voltaje de fuente de puerta

146 MΩ en resistencia a 6a, 5V

12A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C

700 PF Capacitancia de entrada a 25V

Características de calidad y seguridad

Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad

Adecuado para la operación en entornos duros

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de sistemas y circuitos electrónicos

Áreas de aplicación

Fuente de alimentación

Impulso del motor

Reguladores de conmutación

Controles industriales

Electrónica automotriz

Ciclo de vida del producto

Este producto está actualmente en producción y ampliamente disponible

Las piezas de reemplazo o actualizadas pueden estar disponibles en el futuro

Razones clave para elegir este producto

Excelente rendimiento térmico y capacidad de manejo de alta potencia

Velocidad de conmutación rápida y baja resistencia a la eficiencia

Diseño robusto y confiable para aplicaciones exigentes

Embalaje de montaje en superficie versátil para una fácil integración

Voltaje de funcionamiento amplio y rango de temperatura

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las onsemi NTD6600NT4G

Atributo del producto NTD6600NT4G NTD6416ANT4G NTD70N03R-1G NTD70N03RG
Número de pieza NTD6600NT4G NTD6416ANT4G NTD70N03R-1G NTD70N03RG
Fabricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Paquete del dispositivo DPAK DPAK I-PAK DPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 100 V 25 V 25 V
Número de producto base NTD66 NTD6416 NTD70 NTD70
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La disipación de energía (máximo) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) 71W (Tc) 1.36W (Ta), 62.5W (Tc) 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Característica de FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 146mOhm @ 6A, 5V 81mOhm @ 17A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) 17A (Tc) 10A (Ta), 32A (Tc) 10A (Ta), 32A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V 1333 pF @ 20 V 1333 pF @ 20 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V 13.2 nC @ 5 V 13.2 nC @ 5 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

NTD6600NT4G Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF NTD6600NT4G y la documentación onsemi para NTD6600NT4G - onsemi.

Hojas de datos
NTD6600N.pdf
Información ambiental
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Multiple Devices 24/Jan/2011.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta.

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