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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaMCH6341-TL-W
MCH6341-TL-W Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

MCH6341-TL-W - onsemi

Fabricante Número de pieza
MCH6341-TL-W
Fabricante
onsemi
Allelco Número de pieza
32D-MCH6341-TL-W
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 5A 6MCPH
Descripción detallada
Embalaje
6-SMD, Flat Leads
Ficha de datos
MCH6341.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 175880

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas MCH6341-TL-W
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de onsemi - MCH6341-TL-W con especificaciones similares a onsemi - MCH6341-TL-W

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante onsemi  
VGS (th) (Max) @Id 2.6V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 6-MCPH  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 59mOhm @ 3A, 10V  
La disipación de energía (máximo) -  
Paquete / Cubierta 6-SMD, Flat Leads  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)  
Número de producto base MCH6341  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las onsemi MCH6341-TL-W

Atributo del producto MCH6341-TL-W MCH6336-TL-W MCH6341-TL-E MCH6337-TL-E
Número de pieza MCH6341-TL-W MCH6336-TL-W MCH6341-TL-E MCH6337-TL-E
Fabricante onsemi onsemi onsemi Sanyo
Serie - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 10 V 660 pF @ 6 V 430 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V
Paquete / Cubierta 6-SMD, Flat Leads 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-SMD, Flat Leads 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
La disipación de energía (máximo) - 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
RDS (Max) @Id, Vgs 59mOhm @ 3A, 10V 43mOhm @ 3A, 4.5V 59mOhm @ 3A, 10V 49mOhm @ 3A, 4.5V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 1.8V, 4.5V 4V, 10V 1.8V, 4.5V
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 12 V 30 V 20 V
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±10V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete del dispositivo 6-MCPH SC-88FL/MCPH6 6-MCPH SC-88FL/MCPH6
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) 5A (Ta) 5A (Ta) 4.5A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10 nC @ 10 V 6.9 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 7.3 nC @ 4.5 V
Número de producto base MCH6341 MCH6336 MCH63 -
VGS (th) (Max) @Id 2.6V @ 1mA 1.4V @ 1mA - 1.3V @ 1mA

MCH6341-TL-W Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF MCH6341-TL-W y la documentación onsemi para MCH6341-TL-W - onsemi.

Información ambiental
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Hojas de datos
MCH6341.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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