Número de pieza del fabricante
FQPF13N06
Fabricante
onde
Introducción
Producto de semiconductores discretos
Transistor MOSFET de canal N
Características del producto y rendimiento
Capacidad de manipulación de alto voltaje y corriente
Baja resistencia a la conversión de energía eficiente
Alta velocidad y conmutación rápida
Adecuado para varias aplicaciones de gestión y control de energía
Ventajas de productos
Excelente rendimiento térmico
Diseño robusto para operaciones confiables
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 60V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 135mΩ @ 4.7a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 9.4a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 310pf @ 25V
Disipación de potencia (TC): 24W
Características de calidad y seguridad
Tecnología MOSFET para alta fiabilidad
Diseñado y probado para cumplir con los estándares de seguridad y calidad
Compatibilidad
Montaje de orificio a través de una fácil integración de PCB
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Reguladores de conmutación
Inversores
Electrónica industrial y automotriz
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
Disponibilidad de piezas o actualizaciones de repuesto
Razones clave para elegir este producto
Capacidades de manejo de potencia de alto rendimiento
Conversión de energía eficiente con baja resistencia
Amplio rango de temperatura de funcionamiento para aplicaciones versátiles
Diseño robusto para operaciones confiables
Fácil integración en diseños de PCB
FQPF12N65KERSEMI