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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaFQD17P06TF
FQD17P06TF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

FQD17P06TF - onsemi

Fabricante Número de pieza
FQD17P06TF
Fabricante
onsemi
Allelco Número de pieza
32D-FQD17P06TF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
FQD17P06TF.pdf
Existencias disponibles: 4980

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas FQD17P06TF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de onsemi - FQD17P06TF con especificaciones similares a onsemi - FQD17P06TF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante onsemi  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-252AA  
Serie QFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 135mOhm @ 6A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 44W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Número de producto base FQD1  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las onsemi FQD17P06TF

Atributo del producto FQD17P06TF FQD17N08LTM FQD16N25CTM FQD17N08LTF
Número de pieza FQD17P06TF FQD17N08LTM FQD16N25CTM FQD17N08LTF
Fabricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base FQD1 FQD17N08 FQD16N25 FQD1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 80 V 250 V 80 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 12.9A (Tc) 16A (Tc) 12.9A (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 135mOhm @ 6A, 10V 100mOhm @ 6.45A, 10V 270mOhm @ 8A, 10V 100mOhm @ 6.45A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 160W (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 5V, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 27 nC @ 10 V 11.5 nC @ 5 V 53.5 nC @ 10 V 11.5 nC @ 5 V
Paquete del dispositivo TO-252AA D-Pak TO-252AA D-Pak

FQD17P06TF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF FQD17P06TF y la documentación onsemi para FQD17P06TF - onsemi.

Información ambiental
onsemi RoHS.pdf

Modo de transporte

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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