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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaFDS7088N3
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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FDS7088N3 - onsemi

Fabricante Número de pieza
FDS7088N3
Fabricante
onsemi
Allelco Número de pieza
32D-FDS7088N3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Ficha de datos
onsemi RoHS.pdf
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Mold Compound 27/March/2008.pdf
FDS7088N3.pdf
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas FDS7088N3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de onsemi - FDS7088N3 con especificaciones similares a onsemi - FDS7088N3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante onsemi  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO FLMP  
Serie PowerTrench®  
RDS (Max) @Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 48 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta)  
Número de producto base FDS70  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

FDS7088N3

Fabricante

onde

Introducción

Un transistor MOSFET de canal N de alto rendimiento

Características del producto y rendimiento

Calificación de voltaje de drenaje de 30 V

Baja resistencia de 4MΩ @ 21a, 10V

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C

Alta capacidad de corriente de la corriente de drenaje continuo 21A

Carga de puerta baja de 48 nc @ 5V

Capacitancia de entrada alta de 3845pf @ 15V

Paquete de montaje en superficie para diseño compacto

Ventajas de productos

Excelente rendimiento de conmutación y conducción

Gestión de energía eficiente

Amplio rango de temperatura para diversas aplicaciones

Paquete de montaje en superficie compacto

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 30V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 20V

En resistencia (RDS (ON)): 4MΩ @ 21a, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 21a

Capacitancia de entrada (CISS): 3845pf @ 15V

Disipación de potencia (PD): 3W

Características de calidad y seguridad

Cumple con la Directiva ROHS

Protección de ESD para operación confiable

Compatibilidad

Adecuado para su uso en una amplia gama de aplicaciones de conversión de energía y control

Áreas de aplicación

Fuente de alimentación

Impulso del motor

Inversores

Convertidores

Electrónica industrial y de consumo

Ciclo de vida del producto

Este producto es un componente activo y fácilmente disponible

Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles en Onsemi

Razones clave para elegir este producto

Excelentes características de rendimiento

Alto manejo de corriente y voltaje

Gestión de energía eficiente

Amplio rango de temperatura

Paquete de montaje en superficie compacto

Confiable y conforme a ROHS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las onsemi FDS7088N3

Atributo del producto FDS7088N3 FDS7088N7 FDS7088SN3 FDS7088N3
Número de pieza FDS7088N3 FDS7088N7 FDS7088SN3 FDS7088N3
Fabricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V 3230 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta) 23A (Ta) 21A (Ta) 21A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 48 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 80 nC @ 10 V 48 nC @ 5 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete del dispositivo 8-SO FLMP 8-SO FLMP 8-SO FLMP 8-SO
La disipación de energía (máximo) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V
RDS (Max) @Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 10V 3mOhm @ 23A, 10V 4mOhm @ 21A, 10V 4mOhm @ 21A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Número de producto base FDS70 FDS70 FDS70 -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDS7088N3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF FDS7088N3 y la documentación onsemi para FDS7088N3 - onsemi.

Dibujos 2d
onsemi RoHS.pdf Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf Mold Compound 27/March/2008.pdf FDS7088N3.pdf

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Comentarios de los clientes

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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