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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaFDN359AN
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FDN359AN - onsemi

Fabricante Número de pieza
FDN359AN
Fabricante
onsemi
Allelco Número de pieza
32D-FDN359AN
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Embalaje
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de datos
onsemi REACH.pdf
onsemi RoHS.pdf
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf
Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf
SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020.pdf
FDN359AN.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas FDN359AN
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de onsemi - FDN359AN con especificaciones similares a onsemi - FDN359AN

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante onsemi  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-23-3  
Serie PowerTrench®  
RDS (Max) @Id, Vgs 46mOhm @ 2.7A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 500mW (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 7 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)  
Número de producto base FDN359  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

FDN359an

Fabricante

onde

Introducción

El FDN359an es un MOSFET de N-Channel Powertrench® de Onsemi.Es un producto semiconductor discreto en los transistores (FET, MOSFETS - Categoría única.

Características del producto y rendimiento

Voltaje de fuente de drenaje de 30 V

46mΩ máxima de resistencia en 2.7a, 10V

480pf Capacitancia de entrada máxima a 10 V

Disipación de potencia máxima de 500MW

-55 ° C a 150 ° C Rango de temperatura de funcionamiento

ROHS3 Cumplante

Ventajas de productos

Alta eficiencia y baja pérdida de energía

Paquete compacto de montaje en superficie SOT-23-3

Adecuado para varias aplicaciones de conmutación de encendido

Parámetros técnicos clave

Tecnología MOSFET de canal N

Voltaje de umbral de fuente máxima de 3V a 250 μA

Rango de voltaje de 5V a 10 V de accionamiento

7 nc de carga de puerta máxima a 5V

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Adecuado para una operación segura y confiable dentro del rango de temperatura especificado

Compatibilidad

Adecuado para aplicaciones de montaje en superficie

Áreas de aplicación

Circuitos de gestión de energía

Control del motor

Suministros de alimentación de conmutación

Conmutación de encendido de propósito general

Ciclo de vida del producto

Parte de producción actual

Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles

Razones clave para elegir

Capacidad de conmutación de alimentación de alto rendimiento

Paquete de montaje de superficie compacto y eficiente

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Cumplimiento de ROHS para la seguridad ambiental

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las onsemi FDN359AN

Atributo del producto FDN359AN FDN360P FDN359BN FDN358P
Número de pieza FDN359AN FDN360P FDN359BN FDN358P
Fabricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta) 2A (Ta) 2.7A (Ta) 1.5A (Ta)
RDS (Max) @Id, Vgs 46mOhm @ 2.7A, 10V 80mOhm @ 2A, 10V 46mOhm @ 2.7A, 10V 125mOhm @ 1.5A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Número de producto base FDN359 - FDN359 FDN358
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Paquete del dispositivo SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Característica de FET - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V 298 pF @ 15 V 650 pF @ 15 V 182 pF @ 15 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 7 nC @ 5 V 9 nC @ 10 V 7 nC @ 5 V 5.6 nC @ 10 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La disipación de energía (máximo) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)

FDN359AN Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF FDN359AN y la documentación onsemi para FDN359AN - onsemi.

Dibujos 2d
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020.pdf FDN359AN.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 17 Artículos

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America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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