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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaFDMA86251
onsemi
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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OPCIóN EXPRESA
Método de pago

FDMA86251 - onsemi

Fabricante Número de pieza
FDMA86251
Fabricante
onsemi
Allelco Número de pieza
32D-FDMA86251
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Embalaje
6-WDFN Exposed Pad
Ficha de datos
FDMA86251.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas FDMA86251
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de onsemi - FDMA86251 con especificaciones similares a onsemi - FDMA86251

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante onsemi  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
RDS (Max) @Id, Vgs 175mOhm @ 2.4A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.4W (Ta)  
Paquete / Cubierta 6-WDFN Exposed Pad  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 363 pF @ 75 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)  
Número de producto base FDMA86  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

FDMA86251

Fabricante

onde

Introducción

Producto de semiconductores discretos

FET de un solo transistor, Mosfet

Características del producto y rendimiento

Mosfet de canal N

Tecnología del tren eléctrico

Temperatura de funcionamiento: -55 ° C a 150 ° C

Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 150V

Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 20V

En resistencia (RDS (ON)): 175MΩ @ 2.4a, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 2.4a @ 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS): 363pf @ 75V

Disipación de potencia: 2.4W @ 25 ° C

Gate Charge (QG): 5.8nc @ 10V

Ventajas de productos

Manejo de alto voltaje

Baja resistencia

Capacidad de conmutación rápida

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Parámetros técnicos clave

Tipo de transistor: N-canal MOSFET

Calificación de voltaje: 150V

Calificación actual: 2.4a

En resistencia: 175mΩ

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Paquete 6-Microfet (2x2)

Compatibilidad

Envasado de montaje en superficie

Áreas de aplicación

Conversión de energía y gestión

Control del motor

Suministros de alimentación del modo de conmutación

Ciclo de vida del producto

Producto actual

Reemplazos y actualizaciones disponibles

Razones clave para elegir este producto

Excelente manejo y eficiencia de energía

Diseño robuste para entornos duros

Paquete compacto y de ahorro de espacio

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de energía

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las onsemi FDMA86251

Atributo del producto FDMA86251 FDMA8884 FDMA86108LZ FDMA7672
Número de pieza FDMA86251 FDMA8884 FDMA86108LZ FDMA7672
Fabricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
La disipación de energía (máximo) 2.4W (Ta) 1.9W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 363 pF @ 75 V 450 pF @ 15 V 163 pF @ 50 V 760 pF @ 15 V
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta) 6.5A (Ta), 8A (Tc) 2.2A (Ta) 9A (Ta)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V 30 V 100 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 3 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Paquete / Cubierta 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
RDS (Max) @Id, Vgs 175mOhm @ 2.4A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V 243mOhm @ 2.2A, 10V 21mOhm @ 9A, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Número de producto base FDMA86 - - FDMA76
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FDMA86251 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF FDMA86251 y la documentación onsemi para FDMA86251 - onsemi.

Hojas de datos
FDMA86251.pdf
Información ambiental
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Diseño/especificación de PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Embalaje de PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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